采购热线 400-661-9010
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1834，"12+"：5781}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R3-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1834，"12+"：5781}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R3-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R3-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：1834，"12+"：5781}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK764R3-40B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
功率：45W
输入电容：4200pF@60V
工作温度：150℃
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
漏源电压：120V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"09+"：900}
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
输入电容：4824pF@25V
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
功率：254W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56E12N1，S1X
工作温度：150℃
功率：168W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK754R3-40B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4824pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK56A12N1，S4X
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4200pF@60V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@28A，10V
漏源电压：120V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
