品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200P,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200P,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
阈值电压:4V@1mA
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
栅极电荷:36nC@10V
漏源电压:100V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200P,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN057-200B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3750pF@25V
连续漏极电流:39A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@17A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: