品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7626-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2891pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7626-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:157W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2891pF@25V
连续漏极电流:49A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A60D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:550mΩ@6A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2410pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R0-40YS,115
功率:106W
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
栅极电荷:38nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:100A
导通电阻:4.2mΩ@15A,10V
输入电容:2410pF@20V
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存: