品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
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栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:481W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":500,"18+":4371,"9999":608}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP45NQ10T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:481W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":500,"18+":4371,"9999":608}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP45NQ10T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
工作温度:150℃
功率:481W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
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连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":500,"18+":4371,"9999":608}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHP45NQ10T,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
功率:166W
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
导通电阻:28mΩ@25A,10V
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:47A
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
栅极电荷:61nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
导通电阻:25mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):R6047ENZ4C13
导通电阻:72mΩ@25.8A,10V
工作温度:150℃
功率:481W
栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
连续漏极电流:47A
包装方式:管件
输入电容:3850pF@25V
阈值电压:4V@1mA
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: