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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订2个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订2个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订50个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订50个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    功率:45W

    工作温度:150℃

    类型:N沟道

    漏源电压:650V

    包装方式:管件

    栅极电荷:20nC@10V

    阈值电压:4V@1mA

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订250个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TK6A65D(STA4,Q,M) 起订250个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):TK6A65D(STA4,Q,M)

    工作温度:150℃

    功率:45W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.11Ω@3A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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