品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK160F10N1,LXGQ
工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
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阈值电压:4V@1mA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
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连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TK160F10N1,LXGQ
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功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
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工作温度:175℃
功率:375W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:121nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8510pF@10V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
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功率:375W
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连续漏极电流:160A
类型:N沟道
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连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
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