采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
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ECCN：EAR99
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输入电容：3776pF@12V
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
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功率：131W
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连续漏极电流：100A
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功率：131W
阈值电压：4V@1mA
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连续漏极电流：100A
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工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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阈值电压：4V@1mA
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功率：131W
输入电容：3776pF@12V
漏源电压：40V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：100A
栅极电荷：63nC@10V
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
输入电容：3.776nF@12V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@10V，25A
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R6-40YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：131W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3776pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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