品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
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输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
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输入电容:6100pF@30V
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类型:N沟道
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漏源电压:60V
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连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
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栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
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功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
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输入电容:6100pF@30V
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类型:N沟道
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功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
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栅极电荷:72nC@10V
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输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
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栅极电荷:72nC@10V
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功率:800mW€170W
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导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
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漏源电压:60V
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阈值电压:4V@1mA
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类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:72nC@10V
阈值电压:4V@1mA
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