采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38SVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
功率：117W
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：11mΩ@25A，10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：2800pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：45nC@10V
功率：117W
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
漏源电压：80V
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：11mΩ@25A，10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：2800pF@40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT20M38BVRG
工作温度：-55℃~150℃
功率：370W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：225nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6120pF@25V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：38mΩ@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN011-80YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：117W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2800pF@40V
连续漏极电流：67A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@25A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
