采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7606-55B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7606-55B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7606-55B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5100pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@25A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5444}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@50V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1P600BHTB1
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4080pF@50V
连续漏极电流：18A€60A
类型：N沟道
导通电阻：8.8mΩ@18A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
包装方式：卷带（TR）
功率：130W
导通电阻：12mΩ@15A，10V
栅极电荷：64nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：60A
阈值电压：4V@1mA
输入电容：3500pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN012-100YS，115
包装方式：卷带（TR）
功率：130W
导通电阻：12mΩ@15A，10V
栅极电荷：64nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：60A
阈值电压：4V@1mA
输入电容：3500pF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
