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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：92A
类型：N沟道
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漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
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输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
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输入电容：5200pF@50V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
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输入电容：2651pF@30V
连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
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输入电容：5200pF@50V
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
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类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
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连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：149W
阈值电压：4V@1mA
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连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
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功率：800mW€142W
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
工作温度：150℃
功率：800mW€142W
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栅极电荷：58nC@10V
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连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
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栅极电荷：58nC@10V
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
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功率：800mW
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栅极电荷：58nC@10V
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
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功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
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类型：N沟道
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
工作温度：150℃
功率：800mW
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ECCN：EAR99
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：92A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
漏源电压：100V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PSMN7R6-60BS，118
栅极电荷：38.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：92A
功率：149W
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：2651pF@30V
阈值电压：4V@1mA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：92A
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：800mW€142W
栅极电荷：58nC@10V
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
输入电容：5200pF@50V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH4R50ANH1，LQ
包装方式：卷带（TR）
功率：800mW
连续漏极电流：92A
工作温度：150℃
类型：N沟道
栅极电荷：58nC@10V
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
输入电容：5200pF@50V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPW4R50ANH，L1Q
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：92A
工作温度：150℃
类型：N沟道
功率：800mW€142W
栅极电荷：58nC@10V
导通电阻：4.5mΩ@46A，10V
输入电容：5200pF@50V
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ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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