品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):R5007FNX
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:散装
输入电容:450pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:1.3Ω@3.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1550TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@25V€70pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TC1550TG-G
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:55pF@25V€70pF@25V
类型:N和P沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK12A50D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@6A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:袋
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN0550N3-G-P013
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:剪切带(CT)
输入电容:55pF@25V
连续漏极电流:50mA
类型:N沟道
导通电阻:60Ω@50mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存: