品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB33NQ20T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@25V
连续漏极电流:32.7A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PHB33NQ20T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:32.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@25V
连续漏极电流:32.7A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PHB33NQ20T,118
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功率:230W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1870pF@25V
连续漏极电流:32.7A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
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功率:230W
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类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
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规格型号(MPN):PHB33NQ20T,118
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功率:230W
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类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
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行业应用:工业,汽车
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功率:230W
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ECCN:EAR99
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连续漏极电流:32.7A
类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
漏源电压:200V
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栅极电荷:32.2nC@10V
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类型:N沟道
导通电阻:77mΩ@15A,10V
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