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    IXYS Mosfet场效应管 IXTN90P20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTN90P20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTN90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX90P20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX90P20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@22A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127 起订327个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127 起订327个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1000,"17+":1400,"18+":2080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP20NQ20T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK90P20P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK90P20P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3411}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订596个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订596个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6539,"9999":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX90P20P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTX90P20P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTX90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@22A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1568pF@30V

    连续漏极电流:21.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 PSMN070-200P,127 起订500个装
    NXP Mosfet场效应管 PSMN070-200P,127 起订500个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":3000,"12+":750,"13+":950,"14+":3992,"15+":120}

    包装规格(MPQ):268psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN070-200P,127

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:77nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:4.57nF@25V

    连续漏极电流:35A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:70mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6539,"9999":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB33NQ20T,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB33NQ20T,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB33NQ20T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:32.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@25V

    连续漏极电流:32.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1568pF@30V

    连续漏极电流:21.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1568pF@30V

    连续漏极电流:21.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31H3046XKSA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":6539,"9999":700}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN057-200B,118 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN057-200B,118 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN057-200B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN057-200B,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN057-200B,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN057-200B,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:96nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3750pF@25V

    连续漏极电流:39A

    类型:N沟道

    导通电阻:57mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK90P20P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK90P20P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订2000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订2000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订10个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订10个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1568pF@30V

    连续漏极电流:21.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1568pF@30V

    连续漏极电流:21.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RDD050N20TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RDD050N20TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RDD050N20TL

    功率:20W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RDD050N20TL 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RDD050N20TL 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RDD050N20TL

    功率:20W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:9.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:292pF@10V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:720mΩ@2.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BUZ31HXKSA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":3411}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:95W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:1120pF@25V

    连续漏极电流:14.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@9A,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN102-200Y,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:113W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1568pF@30V

    连续漏极电流:21.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:102mΩ@12A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订500个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH2900ENH,L1Q 起订500个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH2900ENH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:33A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@16.5A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB33NQ20T,118 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB33NQ20T,118 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB33NQ20T,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:230W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:32.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@25V

    连续漏极电流:32.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:77mΩ@15A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHP20NQ20T,127 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1000,"17+":1400,"18+":2080}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHP20NQ20T,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2470pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@10A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    IXYS Mosfet场效应管 IXTK90P20P 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTK90P20P 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTK90P20P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:890W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:205nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:12000pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:44mΩ@500mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

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