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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1000，"17+"：1400，"18+"：2080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP20NQ20T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1000，"17+"：1400，"18+"：2080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP20NQ20T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：500，"18+"：4371，"9999"：608}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP45NQ10T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：500，"18+"：4371，"9999"：608}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP45NQ10T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：500，"18+"：4371，"9999"：608}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP45NQ10T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：61nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：PHB45NQ10T，118
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
栅极电荷：61nC@10V
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：47A
导通电阻：25mΩ@25A，10V
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：92}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1002DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6450pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：1000，"17+"：1400，"18+"：2080}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHP20NQ20T，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：1100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB20NQ20T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2470pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@10A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：92}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK1002DPN-A0#T2
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：管件
输入电容：6450pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
