品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:840mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R6BVFRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R6BVFRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZDX080N50
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A50D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A50D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:40W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:800pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:840mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1201R6BVFRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:230nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.6Ω@4A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK8A65D(STA4,Q,M)
工作温度:150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:散装
输入电容:1350pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:840mΩ@4A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存: