品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":19798}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP299L6327HUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:400mA
类型:N沟道
导通电阻:4Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":942}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP298H6327XUSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:500mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSP613PH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:33nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:2.9A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@2.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VN2450N8-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@25V
连续漏极电流:250mA
类型:N沟道
导通电阻:13Ω@400mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3411}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":3880}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK78150-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:230pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN059-150Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:27.9nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1529pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:59mΩ@12A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO613SPVGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:875pF@25V
连续漏极电流:3.44A
类型:P沟道
导通电阻:130mΩ@3.44A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6669,"14+":2040,"15+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PHT6N06T,135
工作温度:-55℃~150℃
功率:8.3W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:175pF@25V
连续漏极电流:5.5A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@5A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV213SN,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:280mW
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:330pF@20V
连续漏极电流:1.9A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":2980}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTAT6H406NT4G
工作温度:-55℃~150℃
功率:90W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8040pF@40V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.9mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-100YSFX
工作温度:-55℃~150℃
功率:245W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7360pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN102-200Y,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:113W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1568pF@30V
连续漏极电流:21.5A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@12A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7880-55A/CUX
工作温度:-55℃~150℃
功率:8W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@10A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存: