品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3411}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@22A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTR40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:312W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:260mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":6539,"9999":700}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31H3046XKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":3411}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ31HXKSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:95W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:1120pF@25V
连续漏极电流:14.5A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@9A,5V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTX40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@20A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTK90P20P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:12000pF@25V
连续漏极电流:90A
类型:P沟道
导通电阻:44mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN40P50P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11500pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:230mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M85BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:195nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4950pF@25V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT20M38SVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTN32P60P
工作温度:-55℃~150℃
功率:890W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:196nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11100pF@25V
连续漏极电流:32A
类型:P沟道
导通电阻:350mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: