品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)
工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):2SK3569(STA4,X,M)
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功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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行业应用:工业,汽车
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:45W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:42nC@10V
输入电容:1.5nF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:180pF@25V
导通电阻:540mΩ@10V,5A
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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