品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK65E10N1,S1X
工作温度:150℃
功率:192W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:81nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@50V
连续漏极电流:148A
类型:N沟道
导通电阻:4.8mΩ@32.5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100YSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:75nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3775pF@50V
连续漏极电流:82A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7227-100B,118
工作温度:-55℃~185℃
功率:167W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2789pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK755R4-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1000,"22+":10900}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN7R0-100PS,127
功率:269W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6686pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":3140,"22+":7497,"23+":7200,"MI+":2400}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7610-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6773pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN016-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:148W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2404pF@50V
连续漏极电流:57A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R8-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:50.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3384pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:59nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3195pF@50V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:13.9mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN012-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2800pF@50V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:11.8mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y12-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:238W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:68nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5067pF@25V
连续漏极电流:85A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB45NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:61nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN9R8-100YSFX
工作温度:-55℃~175℃
功率:147W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:50.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3384pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:10.2mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7628-100A,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN020-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:106W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:41nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2210pF@50V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:20.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN075-100MSEX
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:773pF@50V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:71mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R7-100BSEJ
工作温度:175℃
功率:405W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:246nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16370pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.95mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7Y102-100B,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:60W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:779pF@25V
连续漏极电流:15A
类型:N沟道
导通电阻:102mΩ@5A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7K29-100EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2436pF@25V
连续漏极电流:29.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:24.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":500,"18+":3300,"9999":301}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7E5R2-100E,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:349W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:11810pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:5.2mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":72000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6P040BHTB1
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
输入电容:1.08nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":667}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7619-100B,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:53nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:64A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PHB47NQ10T,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:166W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:66nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN039-100YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1847pF@50V
连续漏极电流:28.1A
类型:N沟道
导通电阻:39.5mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: