采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6P040BHTB1
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1.08nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6P040BHTB1
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1.08nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"92+"：3000，"94+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS30AS-2-T13#B00
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：1.25nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"92+"：3000，"94+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FS30AS-2-T13#B00
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：1.25nF@10V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK100E10N1，S1X(S
功率：255W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@10V，50A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6P040BHTB1
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1.08nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
