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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009END3TL1
功率：94W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5398，"14+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN085-150K，518
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
输入电容：1.31nF@25V
连续漏极电流：3.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@3.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RH6P040BHTB1
功率：59W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16.7nC@10V
输入电容：1.08nF@50V
连续漏极电流：40A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.6mΩ@40A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(STA4，Q，M)
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：5A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@10V，3A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：996，"19+"：1244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJL5014DPP-E0#T2
功率：35W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.7nF@25V
连续漏极电流：19A
类型：1个N沟道
导通电阻：400mΩ@9.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ3P300BHTB1
功率：2W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：36nC@10V
输入电容：2.04nF@50V
连续漏极电流：39A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.5mΩ@10A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000，"12+"：750，"13+"：950，"14+"：3992，"15+"：120}
包装规格(MPQ)：268psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN070-200P，127
工作温度：-55℃~+175℃
功率：250W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：77nC@10V
包装方式：散装
输入电容：4.57nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@17A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：130W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：56nC@10V
输入电容：3.501nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035ENZ4C13
功率：379W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：110nC@10V
输入电容：2.72nF@25V
连续漏极电流：35A
类型：1个N沟道
导通电阻：102mΩ@18.1A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS6P100BHTB1
功率：104W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：45nC@10V
输入电容：2.88nF@50V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：5.9mΩ@90A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P08BBDTL
功率：119W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：37nC@10V
输入电容：1.94nF@50V
连续漏极电流：80A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.6mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN017-60YS
功率：74W
阈值电压：4V@1mA
连续漏极电流：44A
类型：1个N沟道
导通电阻：15.7mΩ@10V，15A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
