品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6P040BHTB1
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
输入电容:1.08nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3P300BHTB1
功率:2W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:36nC@10V
输入电容:2.04nF@50V
连续漏极电流:39A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.5mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P08BBDTL
功率:119W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:37nC@10V
输入电容:1.94nF@50V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.6mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RH6P040BHTB1
功率:59W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:16.7nC@10V
输入电容:1.08nF@50V
连续漏极电流:40A
类型:1个N沟道
导通电阻:15.6mΩ@40A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS1P600BHTB1
工作温度:150℃
功率:3W€35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4080pF@50V
连续漏极电流:18A€60A
类型:N沟道
导通电阻:8.8mΩ@18A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RD3P03BBHTL1
工作温度:150℃
功率:50W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:800pF@50V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@35A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RS6P100BHTB1
功率:104W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.88nF@50V
连续漏极电流:100A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.9mΩ@90A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: