品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RSVRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
输入电容:3.66nF@25V
连续漏极电流:11A
类型:1个N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT20M38SVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT20M38BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RBVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5020BVFRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4440pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT20M38BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6120pF@25V
连续漏极电流:67A
类型:N沟道
导通电阻:38mΩ@500mA,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT1001RBVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3660pF@25V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:1Ω@500mA,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5020BVFRG
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4440pF@25V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@500mA,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5870pF@25V
连续漏极电流:48A
类型:N沟道
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT30M70BVRG
导通电阻:70mΩ@500mA,10V
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
输入电容:5870pF@25V
包装方式:管件
功率:370W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:225nC@10V
连续漏极电流:48A
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: