品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1908}
销售单位:个
规格型号(MPN):H5N3007FL-M0-E#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:2.18nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@7.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"92+":3000,"94+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FS30AS-2-T13#B00
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.25nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"92+":3000,"94+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FS30AS-2-T13#B00
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.25nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1908}
销售单位:个
规格型号(MPN):H5N3007FL-M0-E#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:2.18nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@7.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"92+":3000,"94+":6000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FS30AS-2-T13#B00
工作温度:-55℃~+150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:1.25nF@10V
连续漏极电流:30A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1908}
销售单位:个
规格型号(MPN):H5N3007FL-M0-E#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:2.18nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@7.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":996,"19+":1244}
销售单位:个
规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:43nC@10V
输入电容:1.7nF@25V
连续漏极电流:19A
类型:1个N沟道
导通电阻:400mΩ@9.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1908}
销售单位:个
规格型号(MPN):H5N3007FL-M0-E#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:2.18nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@7.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK42A12N1,S4X
工作温度:150℃
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:52nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3100pF@60V
连续漏极电流:42A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@21A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1908}
销售单位:个
规格型号(MPN):H5N3007FL-M0-E#T2
功率:35W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:2.18nF@25V
连续漏极电流:15A
类型:1个N沟道
导通电阻:160mΩ@7.5A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存: