采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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功率：211W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
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规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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功率：211W
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类型：N沟道
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漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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类型：N沟道
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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功率：211W
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ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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功率：211W
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ECCN：EAR99
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
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功率：211W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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栅极电荷：70.8nC@10V
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：44898，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：44898，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：70.8nC@10V
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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栅极电荷：70.8nC@10V
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
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输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
输入电容：4.426nF@30V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60BS，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：211W
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
工作温度：-55℃~+175℃
导通电阻：4.4mΩ@25A，10V
阈值电压：4V@1mA
输入电容：4.426nF@30V
漏源电压：60V
栅极电荷：70.8nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R6-60PS，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：70.8nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4426pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
