采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：[]
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3565(Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：[]
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPP18P06PHXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：管件
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB18P06PGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：81.1W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：860pF@25V
连续漏极电流：18.7A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@13.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3700(F)
工作温度：150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：28nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1150pF@25V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
