品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8423pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8423pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8100pF@60V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@36A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":255,"13+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK761R4-30E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9580pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
输入电容:8079pF@30V
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:3mΩ@25A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
输入电容:8079pF@30V
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:3mΩ@25A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
输入电容:8079pF@30V
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
导通电阻:3mΩ@25A,10V
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
阈值电压:4V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X
输入电容:8100pF@60V
工作温度:150℃
栅极电荷:130nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:120V
包装方式:管件
阈值电压:4V@1mA
功率:255W
导通电阻:4.4mΩ@36A,10V
连续漏极电流:72A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8423pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK100E08N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9000pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@50A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8100pF@60V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@36A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK72E12N1,S1X
工作温度:150℃
功率:255W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8100pF@60V
连续漏极电流:72A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@36A,10V
漏源电压:120V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":255,"13+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK761R4-30E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9580pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":255,"13+":4800}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK761R4-30E,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:324W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9580pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.45mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: