品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":109,"23+":4574,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9997pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"23+":111}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R2-40PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8423pF@20V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.1mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9961pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8061pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R1-40BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:136nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9710pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:1.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9997pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R3-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R8-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9900pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R8-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9900pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":490,"19+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R3-80ES,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:111nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8161pF@40V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R8-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:170nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9900pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN1R7-60BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:137nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9997pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":32825,"18+":3950,"19+":1932,"20+":11000,"9999":494,"MI+":5000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R0-60PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8079pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1600,"23+":111}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN4R4-80BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:125nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8400pF@40V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R6-100BS,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:306W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:141nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8061pF@50V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: