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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009END3TL1
功率：94W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：30，"22+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENJTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：94W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：150W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：60nC@10V
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
反向传输电容：190pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，4A
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
功率：94W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3878(STA1，E，S)
栅极电荷：60nC@10V
反向传输电容：190pF@25V
漏源电压：900V
类型：1个N沟道
功率：150W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：2.2nF@25V
连续漏极电流：9A
阈值电压：4V@1mA
导通电阻：1Ω@10V，4A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK9A60D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：830mΩ@4.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENXC7G
功率：48W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：1个N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：30，"22+"：60}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL09N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：114nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2025pF@30V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@3A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6009ENX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：535mΩ@2.8A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
