采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：59502}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4917NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：880mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1054pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@11A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4813
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：4485，"09+"：750，"11+"：25000，"12+"：20000，"13+"：16051}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4873NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：870mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：8878，"16+"：5000，"19+"：3500，"9999"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R520CPXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：66W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@3.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2024UFDF-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：960mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：0.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：647pF@10V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@4A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4925DCS RLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1900pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：8878，"16+"：5000，"19+"：3500，"9999"：446}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA50R520CPXKSA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：66W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：管件
输入电容：680pF@100V
连续漏极电流：7.1A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@3.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4813
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2333CDS-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.25W€2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：25nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1225pF@6V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@5.1A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3056LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：6.8nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：722pF@25V
连续漏极电流：7.1A
类型：P沟道
导通电阻：45mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4813
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4813
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@15V
连续漏极电流：7.1A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：25mΩ@7.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
