采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：25455，"20+"：1633，"23+"：24000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：7085，"09+"：2310，"10+"：2500，"11+"：31427}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMD4884NFR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：770mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.2nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：48mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3068L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：700mW
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：15.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：708pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：72mΩ@4.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2100UDM-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@6A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTJS4151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：10nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：850pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：60mΩ@3.3A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI8472DB-T2-E1
工作温度：-55℃~150℃
功率：780mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：18nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：630pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：44mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN2044UCB4-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：720mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：47nC@8V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR420ATRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMS2085LSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：7.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：353pF@15V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@3.3A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF720SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165LQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3165L-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：300pF@10V
连续漏极电流：3.3A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF720PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：管件
输入电容：410pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.8Ω@2A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6070SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：588pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：80mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN6066SSD-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：502pF@30V
连续漏极电流：3.3A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：66mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF610PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：36W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：管件
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：3.3A
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@2A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86113LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@50V
连续漏极电流：3.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@10V，3.3A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
