首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    栅极电荷
    包装方式
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流
    栅极电荷: 16.7nC@10V
    当前匹配商品:100+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6P040BHTB1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6P040BHTB1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6P040BHTB1

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    输入电容:1.08nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP14N60X2 起订100个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP14N60X2 起订100个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP14N60X2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:180W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:740pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:250mΩ@7A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M6 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STF16N60M6 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF16N60M6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:25W

    阈值电压:4.75V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:575pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:320mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订100个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订100个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6P040BHTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6P040BHTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6P040BHTB1

    功率:59W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    输入电容:1.08nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:15.6mΩ@40A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订10个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订10个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装
    ROHM Mosfet场效应管 RH6R025BHTB1 起订2个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RH6R025BHTB1

    工作温度:150℃

    功率:2W€59W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1010pF@75V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@25A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN9R1-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN9R1-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:894pF@15V

    连续漏极电流:57A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.1mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT3006LFVQ-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT3006LFVQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMT36M1LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT36M1LPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:16.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:65A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧