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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFD5C462NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：2.2V@40µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A€84A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：4.7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3020DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.25mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC3020DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1385pF@15V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.25mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDUL03N150CG
工作温度：150℃
功率：3W€50W
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：650pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：10.5Ω@1.25A，10V
漏源电压：1500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISC046N04NM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€50W
阈值电压：3.4V@17µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@20V
连续漏极电流：19A€77A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620STRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：13+
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF620SPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：管件
输入电容：260pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@3.1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
