品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
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输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:3.4V@17µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1400pF@20V
连续漏极电流:19A€77A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC046N04NM5ATMA1
阈值电压:3.4V@17µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
类型:N沟道
输入电容:1400pF@20V
功率:3W€50W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:21nC@10V
连续漏极电流:19A€77A
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:3W€50W
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:3W€50W
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C462NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€50W
阈值电压:2.2V@40µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:18A€84A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: