品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:175W(Tc)
阈值电压:2.7V @ 5mA
栅极电荷:51 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:1272 pF @ 1000 V
连续漏极电流:21A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:208 毫欧 @ 12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R12MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:567W
阈值电压:2.7V@50mA
栅极电荷:288nC@15V
包装方式:管件
输入电容:9335pF@800V
连续漏极电流:157A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@100A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R120MT33J
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:145nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3706pF@1000V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:156mΩ@20A,20V
漏源电压:3300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17J
工作温度:-55℃~175℃
功率:54W
阈值电压:4V@2mA
包装方式:管件
输入电容:139pF@1000V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:23nC@15V
包装方式:管件
输入电容:724pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12D
工作温度:-55℃~175℃
功率:123W
阈值电压:2.69V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@15V
包装方式:管件
输入电容:730pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:192mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT17J
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:54W(Tc)
阈值电压:4V @ 2mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:139 pF @ 1000 V
连续漏极电流:3A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:1.2 欧姆 @ 2A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT17N
工作温度:-55℃~175℃
功率:523W
阈值电压:2.7V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:400nC@15V
包装方式:管件
输入电容:10187pF@1000V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@75A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT12N
工作温度:-55℃~175℃
功率:365W
阈值电压:2.69V@15mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:219nC@15V
包装方式:管件
输入电容:5873pF@800V
连续漏极电流:105A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@60A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT33J
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:3.5V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:21nC@20V
包装方式:管件
输入电容:238pF@1000V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:3300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12K
工作温度:-55℃~175℃
功率:333W
阈值电压:2.69V@10mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:71A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:438W(Tc)
阈值电压:2.7V @ 8mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:182 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:4523 pF @ 1000 V
连续漏极电流:61A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:58 毫欧 @ 40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R45MT17K
工作温度:-55℃~175℃
功率:438W
阈值电压:2.7V@8mA
栅极电荷:182nC@15V
包装方式:管件
输入电容:4523pF@1000V
连续漏极电流:61A
类型:N沟道
导通电阻:58mΩ@40A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:400W(Tc)
阈值电压:2.69V @ 12mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:155 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:3901 pF @ 800 V
连续漏极电流:90A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:36 毫欧 @ 50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT17D
工作温度:-55℃~175℃
功率:175W
阈值电压:2.7V@5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@15V
包装方式:管件
输入电容:1272pF@1000V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@12A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R60MT07J
ECCN:EAR99
包装方式:管件
漏源电压:750V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R160MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:128W
阈值电压:2.7V@5mA
栅极电荷:23nC@15V
包装方式:管件
输入电容:724pF@800V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@10A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G2R1000MT33J
工作温度:-55℃~175℃
功率:74W
阈值电压:3.5V@2mA
栅极电荷:21nC@20V
包装方式:管件
输入电容:238pF@1000V
连续漏极电流:4A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@2A,20V
漏源电压:3300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R30MT12K
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:400W(Tc)
阈值电压:2.69V @ 12mA
栅极电荷:155 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:3901 pF @ 800 V
连续漏极电流:90A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:36 毫欧 @ 50A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R20MT17N
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:523W(Tc)
阈值电压:2.7V @ 15mA
栅极电荷:400 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:10187 pF @ 1000 V
连续漏极电流:100A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:26 毫欧 @ 75A,15V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12J
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:374W(Tc)
阈值电压:2.7V @ 18mA(标准)
ECCN:EAR99
栅极电荷:106 nC @ 15 V
包装方式:管件
输入电容:2929 pF @ 800 V
连续漏极电流:75A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:48 毫欧 @ 35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R40MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:374W
阈值电压:2.7V@18mA
栅极电荷:106nC@15V
包装方式:管件
输入电容:2929pF@800V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@35A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):G3R350MT12J
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2.69V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@15V
包装方式:管件
输入电容:334pF@800V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:420mΩ@4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:2.69V @ 2mA
栅极电荷:12 nC @ 15 V
输入电容:334 pF @ 800 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:420 毫欧 @ 4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:2.69V @ 2mA
栅极电荷:12 nC @ 15 V
输入电容:334 pF @ 800 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:420 毫欧 @ 4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:GeneSiC
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:75W(Tc)
阈值电压:2.69V @ 2mA
栅极电荷:12 nC @ 15 V
输入电容:334 pF @ 800 V
连续漏极电流:11A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:420 毫欧 @ 4A,15V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: