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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:175W(Tc)

    阈值电压:2.7V @ 5mA

    栅极电荷:51 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:1272 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:21A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:208 毫欧 @ 12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R12MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:567W

    阈值电压:2.7V@50mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:9335pF@800V

    连续漏极电流:157A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@100A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R12MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:567W

    阈值电压:2.7V@50mA

    栅极电荷:288nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:9335pF@800V

    连续漏极电流:157A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@100A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R120MT33J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R120MT33J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R120MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:145nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:3706pF@1000V

    连续漏极电流:35A

    类型:N沟道

    导通电阻:156mΩ@20A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:4V@2mA

    包装方式:管件

    输入电容:139pF@1000V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:23nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:724pF@800V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17J

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:54W(Tc)

    阈值电压:4V @ 2mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:139 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:3A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT17N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:523W

    阈值电压:2.7V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:10187pF@1000V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@75A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT12N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:365W

    阈值电压:2.69V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:219nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:5873pF@800V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@60A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:438W(Tc)

    阈值电压:2.7V @ 8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:4523 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:61A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:58 毫欧 @ 40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:400W(Tc)

    阈值电压:2.69V @ 12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:3901 pF @ 800 V

    连续漏极电流:90A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:36 毫欧 @ 50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R60MT07J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R60MT07J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R60MT07J

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:128W

    阈值电压:2.7V@5mA

    栅极电荷:23nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:724pF@800V

    连续漏极电流:19A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:400W(Tc)

    阈值电压:2.69V @ 12mA

    栅极电荷:155 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:3901 pF @ 800 V

    连续漏极电流:90A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:36 毫欧 @ 50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.69V@2mA

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT17N

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:523W(Tc)

    阈值电压:2.7V @ 15mA

    栅极电荷:400 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:10187 pF @ 1000 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:26 毫欧 @ 75A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12J

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:374W(Tc)

    阈值电压:2.7V @ 18mA(标准)

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106 nC @ 15 V

    包装方式:管件

    输入电容:2929 pF @ 800 V

    连续漏极电流:75A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:48 毫欧 @ 35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:374W

    阈值电压:2.7V@18mA

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订数500个
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订数500个

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:75W(Tc)

    阈值电压:2.69V @ 2mA

    栅极电荷:12 nC @ 15 V

    输入电容:334 pF @ 800 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:420 毫欧 @ 4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订数100个
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订数100个

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:75W(Tc)

    阈值电压:2.69V @ 2mA

    栅极电荷:12 nC @ 15 V

    输入电容:334 pF @ 800 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:420 毫欧 @ 4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订数1000个
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订数1000个

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:75W(Tc)

    阈值电压:2.69V @ 2mA

    栅极电荷:12 nC @ 15 V

    输入电容:334 pF @ 800 V

    连续漏极电流:11A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:420 毫欧 @ 4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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