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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90N04S404ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90N04S404ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@35µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3440pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.1mΩ@90A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STL33N60DM2 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:140mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R199CPXKSA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI60R199CPXKSA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI60R199CPXKSA2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:3.5V@660µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:19A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-80PS,127 起订407个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN012-80PS,127 起订407个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":887,"20+":1156,"MI+":599}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN012-80PS,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:148W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2782pF@12V

    连续漏极电流:74A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@15A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 RJL5014DPP-E0#T2 起订59个装
    RENESAS Mosfet场效应管 RJL5014DPP-E0#T2 起订59个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":996,"19+":1244}

    销售单位:

    规格型号(MPN):RJL5014DPP-E0#T2

    功率:35W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    输入电容:1.7nF@25V

    连续漏极电流:19A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:400mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS2572 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS2572

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€78W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2610pF@75V

    连续漏极电流:4.5A€27A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNX 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 R6030MNX 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6030MNX

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:90W

    阈值电压:5V@1mA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2180pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@15A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVB150N65S3F 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVB150N65S3F

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1999pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ44ZLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFZ44ZLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44ZLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:80W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1420pF@25V

    连续漏极电流:51A

    类型:N沟道

    导通电阻:13.9mΩ@31A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R199CPXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP60R199CPXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP60R199CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:139W

    阈值电压:3.5V@660µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1520pF@100V

    连续漏极电流:16A

    类型:N沟道

    导通电阻:199mΩ@9.9A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB150N65S3HF 起订131个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":154}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB150N65S3HF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:192W

    阈值电压:5V@540µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1985pF@400V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQP27P06 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:27A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06 起订50个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06 起订50个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD2670 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD2670

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€70W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1228pF@100V

    连续漏极电流:3.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@3.6A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06 起订10个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQPF27P06 起订10个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQPF27P06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:17A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP21N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STP21N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP21N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@100V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@9A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STP33N60DM2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP33N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@100V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:130mΩ@12A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18531Q5AT 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18531Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3840pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.6mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF21N90K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF21N90K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF21N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@100V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@9A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630PBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF630STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF630STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€74W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@25V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@5.4A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVD5C454NLT4G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVD5C454NLT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€56W

    阈值电压:2.2V@70µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2600pF@25V

    连续漏极电流:20A€84A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STB21N90K5 起订1个装
    ST Mosfet场效应管 STB21N90K5 起订1个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB21N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1645pF@100V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@9A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STF21N90K5 起订50个装
    ST Mosfet场效应管 STF21N90K5 起订50个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STF21N90K5

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:40W

    阈值电压:5V@100µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1645pF@100V

    连续漏极电流:18.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:299mΩ@9A,10V

    漏源电压:900V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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