品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL33N60DM2
工作温度：-55℃~150℃
功率：150W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@100V
连续漏极电流：21A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@10.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS2572
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€78W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2610pF@75V
连续漏极电流：4.5A€27A
类型：N沟道
导通电阻：47mΩ@4.5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVB150N65S3F
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1999pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：154}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB150N65S3HF
工作温度：-55℃~150℃
功率：192W
阈值电压：5V@540µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1985pF@400V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@12A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB21N90K5
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1645pF@100V
连续漏极电流：18.5A
类型：N沟道
导通电阻：299mΩ@9A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7430DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.2W€64W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1735pF@50V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@5A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：14500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R280C6ATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：104W
阈值电压：3.5V@430µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@100V
连续漏极电流：13.8A
类型：N沟道
导通电阻：280mΩ@6.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：2865}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFZ44ZSTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1420pF@25V
连续漏极电流：51A
类型：N沟道
导通电阻：13.9mΩ@31A，10V
漏源电压：55V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS86068-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.4mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2670
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€70W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1228pF@100V
连续漏极电流：3.6A
类型：N沟道
导通电阻：130mΩ@3.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：4150，"21+"：4045}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS7N03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1190pF@25V
连续漏极电流：4.8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF630STRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€74W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：400mΩ@5.4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB60R199CPATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：139W
阈值电压：3.5V@660µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1520pF@100V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：199mΩ@9.9A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：4500，"15+"：10500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4936NCT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3044pF@15V
连续漏极电流：11.6A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS4936NT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：920mW€43W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3044pF@15V
连续漏极电流：11.6A€79A
类型：N沟道
导通电阻：3.8mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18531Q5AT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€156W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3840pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.6mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
