采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R160P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@350µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1317pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@6.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6035VNXC7G
功率：81W
阈值电压：6.5V@1.1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.4nF@100V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：114mΩ@8A，15V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL65R200CFD7AUMA1
工作温度：-40℃~+150℃
功率：81W
阈值电压：4.5V
栅极电荷：23nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：14A
类型：MOSFET
导通电阻：200mΩ
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH3206PSB
工作温度：-55℃~150℃
功率：81W
阈值电压：2.6V@500µA
栅极电荷：6.2nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：720pF@480V
连续漏极电流：16A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@10A，8V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R160P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@350µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1317pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@6.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R160P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@350µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1317pF@400V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@6.3A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH7R006PL，L1Q
工作温度：175℃
功率：81W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1875pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：13.5mΩ@10A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPL60R185P7AUMA1
工作温度：-40℃~150℃
功率：81W
阈值电压：4V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1081pF@400V
连续漏极电流：19A
类型：N沟道
导通电阻：185mΩ@5.6A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：13500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN3R0-30YL，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：81W
阈值电压：2.15V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2822pF@12V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
