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    连续漏极电流
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    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R090M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R090M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:5.7V@3.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:707pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@8.5A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFI4227PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI4227PBF

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@17A,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP25N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R090M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R090M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:5.7V@3.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@8.5A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG25N50E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG25N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:86nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:145mΩ@12A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-E3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH26N60P 起订30个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH26N60P 起订30个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH26N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:72nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:4150pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:270mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y40-55B,115 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y40-55B,115 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R083M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZA65R083M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZA65R083M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:104W

    阈值电压:5.7V@3.3mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:624pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:111mΩ@11.2A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7430DP-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7430DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5.2W€64W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:43nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@50V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:45mΩ@5A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R120P7XKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R120P7XKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:4V@410µA

    栅极电荷:36nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1544pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:120mΩ@8.2A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订2个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ26N50P3 起订2个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ26N50P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:5V@4mA

    栅极电荷:42nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2220pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STW33N60M2 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW33N60M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:45.5nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1781pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R072M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMW65R072M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMW65R072M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:5.7V@4mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:744pF@400V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:94mΩ@13.3A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH6050SPD-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH6050SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@30V

    连续漏极电流:26A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMYH200R100M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMYH200R100M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMYH200R100M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:5.5V@6mA

    栅极电荷:55nC@18V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@10A,18V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R090M1HXTMA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMBG120R090M1HXTMA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMBG120R090M1HXTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:5.7V@3.7mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@18V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:125mΩ@8.5A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D16-20X 起订5个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK4D16-20X 起订5个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):3000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK4D16-20X

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:19W

    阈值电压:1.3V

    栅极电荷:15nC

    包装方式:Reel

    连续漏极电流:26A

    类型:MOSFET

    导通电阻:16mΩ

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y40-55B,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9Y40-55B,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9Y40-55B,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:59W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:11nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@15A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4062KEHRC11 起订1个装
    ROHM Mosfet场效应管 SCT4062KEHRC11 起订1个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SCT4062KEHRC11

    工作温度:175℃

    功率:115W

    阈值电压:4.8V@6.45mA

    栅极电荷:64nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1498pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:81mΩ@12A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDP26N40 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDP26N40 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDP26N40

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:265W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3185pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@13A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMYH200R100M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMYH200R100M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMYH200R100M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:217W

    阈值电压:5.5V@6mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@18V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:131mΩ@10A,18V

    漏源电压:2000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFA26N30X3 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFA26N30X3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170W

    阈值电压:4.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1465pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:66mΩ@13A,10V

    漏源电压:300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C478NLWFTAG 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS5C478NLWFTAG 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS5C478NLWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:20W

    阈值电压:2.2V@20µA

    栅极电荷:3.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订5000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPH5200FNH,L1Q 起订5000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPH5200FNH,L1Q

    工作温度:150℃

    功率:78W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@100V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:52mΩ@13A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXTT26N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTT26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R090M1HXKSA1 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IMZ120R090M1HXKSA1 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IMZ120R090M1HXKSA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:115W

    阈值电压:5.7V@3.7mA

    栅极电荷:21nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:707pF@800V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:117mΩ@8.5A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH26N50P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH26N50P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH26N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:400W

    阈值电压:5.5V@4mA

    栅极电荷:60nC@10V

    输入电容:3600pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:230mΩ@13A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M35-80EX 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M35-80EX 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M35-80EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.1V@1mA

    栅极电荷:13.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1804pF@25V

    连续漏极电流:26A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@5A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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