采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：100}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4221
工作温度：150℃
功率：2.5W€220W
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：托盘
输入电容：2250pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@13A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH5200FNH，L1Q
工作温度：150℃
功率：78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@100V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@13A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1G260MNTB
工作温度：150℃
功率：3W€35W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2988pF@20V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@26A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
