采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN11006PL，LQ
工作温度：175℃
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1625pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：450psc
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
输入电容：1498pF@800V
栅极电荷：64nC@18V
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
工作温度：175℃
包装方式：管件
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KEHRC11
工作温度：175℃
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1498pF@800V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
