采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R150W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.86nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：56pF@25V
导通电阻：126mΩ@10V，9A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.625nF@30V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
输入电容：1.285nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：40mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：33W
阈值电压：700mV@250μA
栅极电荷：26nC@4.5V
输入电容：777pF@10V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：140pF@10V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MLS60R150W
工作温度：-55℃~+150℃
功率：220W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：43nC@10V
输入电容：1.86nF@25V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
反向传输电容：56pF@25V
导通电阻：126mΩ@10V，9A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15A
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18.6nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
功率：63W
输入电容：1.285nF@75V
漏源电压：150V
导通电阻：40mΩ@26A，10V
连续漏极电流：26A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G26N02K
类型：1个N沟道
栅极电荷：26nC@4.5V
导通电阻：9mΩ@4.5V，3A
工作温度：-55℃~+150℃
漏源电压：20V
功率：33W
输入电容：777pF@10V
阈值电压：700mV@250μA
连续漏极电流：26A
反向传输电容：140pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：450psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCT4062KRC15
功率：115W
阈值电压：4.8V@6.45mA
栅极电荷：64nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1.498nF@800V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：81mΩ@12A，18V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD390N15ALZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：2.8V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.76nF@75V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：42mΩ@26A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
