品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT8030JVFR
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:510nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7900pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1P12BBDTLL
功率:178W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:4.17nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1P12BBDTLL
功率:178W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:80nC@10V
输入电容:4.17nF@50V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:5.8mΩ@50A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10050LVFRG
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:500nC@10V
输入电容:7.9nF@25V
连续漏极电流:21A
类型:1个N沟道
导通电阻:500mΩ@500mA,10V
漏源电压:1kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):450psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEGC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APL502LG
工作温度:-55℃~150℃
功率:730W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:9000pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@29A,12V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT12060LVRG
工作温度:-55℃~150℃
功率:625W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:650nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9500pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@10A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5010JVRU2
工作温度:-55℃~150℃
功率:450W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:312nC@10V
包装方式:散装
输入电容:7410pF@25V
连续漏极电流:44A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@22A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APL502J
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:9000pF@25V
连续漏极电流:52A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@26A,12V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APL502B2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:730W
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:9000pF@25V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@29A,12V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SCT2160KEHRC11
工作温度:175℃
功率:165W
阈值电压:4V@2.5mA
栅极电荷:62nC@18V
包装方式:管件
输入电容:1200pF@800V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:208mΩ@7A,18V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: