采购热线 400-661-9010
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD23381F4
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：236pF@6V
连续漏极电流：2.3A
类型：P沟道
导通电阻：175mΩ@500mA，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB670UPE，315
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW€2.7W
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.14nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：680mA
类型：P沟道
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
