采购热线 400-6619-010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：90psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：1个N沟道
导通电阻：10Ω@0V，300mA
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT8030JVFR
阈值电压：4V @ 2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：510 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：7900 pF @ 25 V
连续漏极电流：25A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：300 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@0V，120mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2460N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@2mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@4.5V，100mA
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0110N3-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：2V@500μA
包装方式：袋
输入电容：60pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4.5Ω@4.5V，250mA
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：6.25W（Tc）
阈值电压：2V @ 1mA
输入电容：50 pF @ 24 V
连续漏极电流：350mA（Tj）
类型：N 通道
导通电阻：4 欧姆 @ 1A，10V
漏源电压：90V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT50GN60BDQ2G
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：150A
关断延迟时间：230ns
关断损耗：1565µJ
开启延迟时间：20ns
集电极截止电流(Ices)：600V
栅极电荷：325nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.85V@15V，50A
导通损耗：1185µJ
工作温度：-55℃ ~ 175℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP0550N3-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1W
阈值电压：4.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：70pF@25V
连续漏极电流：54mA
类型：1个P沟道
导通电阻：125Ω@10mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP2540N8-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：125mA
类型：1个P沟道
导通电阻：25Ω@100mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT30M85BVRG
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：300W（Tc）
阈值电压：4V @ 1mA
栅极电荷：195 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4950 pF @ 25 V
连续漏极电流：40A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：85 毫欧 @ 500mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N5-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：15W
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：25Ω@0V，120mA
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2450N3-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@1mA
包装方式：袋
输入电容：190pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：1个P沟道
导通电阻：30Ω@100mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
输入电容：14.1 nF @ 25 V
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.85V @ 15V，200A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：455W（Tc）
阈值电压：2.7V @ 4.5mA（标准）
栅极电荷：249 nC @ 20 V
输入电容：5280 pF @ 1000 V
连续漏极电流：113A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：22 毫欧 @ 40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：278W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 1mA
栅极电荷：232 nC @ 20 V
输入电容：3020 pF @ 1000 V
连续漏极电流：77A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：182W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 1mA
栅极电荷：64 nC @ 20 V
输入电容：838 pF @ 1000 V
连续漏极电流：35A
类型：N 通道
导通电阻：100 毫欧 @ 15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
输入电容：14.1 nF @ 25 V
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：1.85V @ 15V，200A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：500W（Tc）
阈值电压：2.8V @ 1mA
栅极电荷：232 nC @ 20 V
输入电容：3020 pF @ 1000 V
连续漏极电流：103A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：31 毫欧 @ 40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
输入电容：5.28nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：143W（Tc）
阈值电压：2.4V @ 1mA
栅极电荷：56 nC @ 20 V
输入电容：1175 pF @ 700 V
连续漏极电流：39A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：75 毫欧 @ 20A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：300nC@10V
输入电容：5.28nF@25V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
导通电阻：170mΩ@500mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55°C~175°C（TJ）
功率：68W（Tc）
阈值电压：3.25V @ 100µA（标准）
栅极电荷：11 nC @ 20 V
输入电容：184 pF @ 1360 V
连续漏极电流：7A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：940 毫欧 @ 2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2124K1-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：134mA
类型：1个N沟道
导通电阻：15Ω@120mA，4.5V
漏源电压：240V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N3-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：136mA
类型：1个N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7M120B
工作温度：-55℃~+150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2.565nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.5Ω@3A，10V
漏源电压：1.2kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT13F120B
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：625W（Tc）
阈值电压：5V @ 1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：4765 pF @ 25 V
连续漏极电流：14A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：1.4 欧姆 @ 7A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5010LLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：520W
阈值电压：5V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@25V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@23A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP5335K1-G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V
连续漏极电流：85mA
类型：1个P沟道
导通电阻：30Ω@200mA，10V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
