采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF477FL
功率：500V
包装方式：散装
连续漏极电流：500V
类型：2 N 沟道（双）共源
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GN120JDQ3
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10090BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC060SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：2.4V@1mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1175pF@700V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT58M80J
工作温度：-55°C~150°C（TJ）
功率：960W（Tc）
阈值电压：5V @ 5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：570 nC @ 10 V
包装方式：管件
输入电容：17550 pF @ 25 V
连续漏极电流：60A（Tc）
类型：N 通道
导通电阻：110 毫欧 @ 43A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MIC94051YM4-TR
工作温度：-40℃~150℃
功率：568mW
阈值电压：1.2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@5.5V
连续漏极电流：1.8A
类型：P沟道
导通电阻：160mΩ@100mA，4.5V
漏源电压：6V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT80GP60J
包装方式：管件
输入电容：9.84nF@25V
集电极截止电流(Ices)：600V
类型：PT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ARF460AG
功率：500V
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：500V
类型：N 通道
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3145N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@100mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：VRF151MP
功率：150W
ECCN：EAR99
包装方式：管件
类型：1个N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT25GP90BG
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：110A
关断延迟时间：55ns
关断损耗：370µJ
开启延迟时间：13ns
集电极截止电流(Ices)：900V
栅极电荷：110nC
类型：PT
集电极电流(Ic)：3.9V@15V，25A
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VP2206N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：3.5V@10mA
包装方式：袋
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：640mA
类型：P沟道
导通电阻：900mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC6320K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：110pF@25V€125pF@25V
类型：N和P沟道
导通电阻：7Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：90psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC7920K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@25V€54pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：10Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC8220K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：56pF@25V€75pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：6Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TC7920K6-G
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：2.4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：52pF@25V€54pF@25V
类型：2个N通道和2个P通道
导通电阻：10Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT100GN120B2G
ECCN：EAR99
包装方式：管件
集电极脉冲电流(Icm)：300A
关断延迟时间：615ns
关断损耗：9.5mJ
开启延迟时间：50ns
集电极截止电流(Ices)：1200V
栅极电荷：540nC
类型：沟槽型场截止
集电极电流(Ic)：2.1V@15V，100A
导通损耗：11mJ
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7008-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GP120J
ECCN：EAR99
包装方式：管件
输入电容：7.04nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：PT
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：IGBT
行业应用：汽车,工业
包装规格(MPQ)：1psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT75GT120JU2
包装方式：散装
输入电容：5.34nF@25V
集电极截止电流(Ices)：1200V
类型：沟槽型场截止
工作温度：-55℃ ~ 150℃
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
