采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2504N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：125pF@20V
连续漏极电流：890mA
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@1.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN0620N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：1.6V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：6Ω@500mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2625K4-G
工作温度：-55℃~150℃
栅极电荷：7.04nC@1.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：1.1A
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@1A，0V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT10090BLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：298W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：71nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1969pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@6A，10V
漏源电压：1000V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC060SMA070S
工作温度：-55℃~175℃
功率：130W
阈值电压：2.4V@1mA
栅极电荷：56nC@20V
包装方式：管件
输入电容：1175pF@700V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：75mΩ@20A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3145N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：120pF@25V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@100mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：125pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT7F120S
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2565pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：2.4Ω@3A，10V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：90psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC750SMA170B
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.25V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@20V
包装方式：管件
输入电容：184pF@1360V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：940mΩ@2.5A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7008-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT6025BVRG
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：275nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5160pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@500mA，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC015SMA070B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.4V@4mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：215nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@700V
连续漏极电流：140A
类型：N沟道
导通电阻：19mΩ@40A，20V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC017SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：455W
阈值电压：2.7V@4.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：249nC@20V
包装方式：散装
输入电容：5280pF@1000V
连续漏极电流：113A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC025SMA120B
工作温度：-55℃~175℃
功率：500W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：232nC@20V
包装方式：管件
输入电容：3020pF@1000V
连续漏极电流：103A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@40A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN3545N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@150mA，0V
漏源电压：450V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC035SMA170B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：3.25V@2.5mA
栅极电荷：178nC@20V
包装方式：散装
输入电容：3300pF@1000V
连续漏极电流：68A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@30A，20V
漏源电压：1700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0106N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：2.4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：65pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2535N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：350V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT77N60JC3
工作温度：-55℃~150℃
功率：568W
阈值电压：3.9V@5.4mA
栅极电荷：640nC@10V
包装方式：管件
输入电容：13600pF@25V
连续漏极电流：77A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@60A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：10psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT8030JVFR
阈值电压：4V@2.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：510nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7900pF@25V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：300mΩ@500mA，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2540N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：120mA
类型：N沟道
导通电阻：25Ω@120mA，0V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2530N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：175mA
类型：N沟道
导通电阻：12Ω@150mA，0V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TN2640LG-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@2mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@25V
连续漏极电流：260mA
类型：N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MSC080SMA120B4
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：64nC@20V
包装方式：管件
输入电容：838pF@1000V
连续漏极电流：37A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@15A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
