采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT5014SLLG
工作温度：-55℃~150℃
功率：403W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3261pF@25V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@17.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT24F50B
工作温度：-55℃~150℃
功率：335W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3630pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@11A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：APT56M50L
工作温度：-55℃~150℃
功率：780W
阈值电压：5V@2.5mA
栅极电荷：220nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8800pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@28A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND250K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN0550N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：55pF@25V
连续漏极电流：50mA
类型：N沟道
导通电阻：60Ω@50mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P003
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
包装方式：袋
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P014
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：剪切带（CT）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450K4-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：350mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：250mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150K1-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：360mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：13mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：VN2450N3-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@1mA
包装方式：袋
输入电容：150pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：13Ω@400mA，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：LND150N3-G-P002
工作温度：-55℃~150℃
功率：740mW
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：10pF@25V
连续漏极电流：30mA
类型：N沟道
导通电阻：1000Ω@500µA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DN2450N8-G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：200pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：N沟道
导通电阻：10Ω@300mA，0V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
