品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GN120JDQ3
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:4.8nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:沟槽型场截止
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT10090BLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:298W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:71nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1969pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:950mΩ@6A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070S
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:2.4V@1mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT58M80J
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:960W(Tc)
阈值电压:5V @ 5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:570 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:17550 pF @ 25 V
连续漏极电流:60A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:110 毫欧 @ 43A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT80GP60J
包装方式:管件
输入电容:9.84nF@25V
集电极截止电流(Ices):600V
类型:PT
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):ARF460AG
功率:500V
ECCN:EAR99
包装方式:管件
连续漏极电流:500V
类型:N 通道
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VRF151MP
功率:150W
ECCN:EAR99
包装方式:管件
类型:1个N沟道
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT7F120S
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2565pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:2.4Ω@3A,10V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT75GP120J
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:7.04nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:PT
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT5014SLLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:403W
阈值电压:5V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3261pF@25V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:140mΩ@17.5A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT6025BVRG
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:275nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5160pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:250mΩ@500mA,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC015SMA070B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:455W
阈值电压:2.4V@4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:215nC@20V
包装方式:管件
输入电容:4500pF@700V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@40A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC025SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:232nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3020pF@1000V
连续漏极电流:103A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT85GR120JD60
包装方式:管件
输入电容:8.4nF@25V
集电极截止电流(Ices):1200V
类型:NPT
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):APT77N60JC3
工作温度:-55℃~150℃
功率:568W
阈值电压:3.9V@5.4mA
栅极电荷:640nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13600pF@25V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@60A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT8030JVFR
阈值电压:4V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:510nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7900pF@25V
连续漏极电流:25A
类型:N沟道
导通电阻:300mΩ@500mA,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT24F50B
工作温度:-55℃~150℃
功率:335W
阈值电压:5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3630pF@25V
连续漏极电流:24A
类型:N沟道
导通电阻:240mΩ@11A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:IGBT
行业应用:汽车,工业
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT25GN120SG
ECCN:EAR99
包装方式:管件
集电极脉冲电流(Icm):75A
关断延迟时间:280ns
开启延迟时间:22ns
集电极截止电流(Ices):1200V
栅极电荷:155nC
类型:沟槽型场截止
集电极电流(Ic):2.1V@15V,25A
工作温度:-55℃ ~ 150℃
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170B
工作温度:-60℃~175℃
功率:370W
阈值电压:3.25V@2.5mA
栅极电荷:178nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@1000V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA170B
工作温度:-60℃~175℃
功率:370W
阈值电压:3.25V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:178nC@20V
包装方式:管件
输入电容:3300pF@1000V
连续漏极电流:68A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@30A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):1psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSCSM70VM10C4AG
工作温度:-40℃~175℃
功率:674W
阈值电压:2.4V@8mA
包装方式:管件
输入电容:9000pF@700V
连续漏极电流:238A
类型:2N沟道(相角)
导通电阻:9.5mΩ@80A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC035SMA070B
工作温度:-55℃~175℃
功率:283W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:99nC@20V
包装方式:管件
输入电容:2010pF@700V
连续漏极电流:77A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@30A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC360SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:78W
阈值电压:3.14V@500µA
栅极电荷:21nC@20V
包装方式:管件
输入电容:255pF@1000V
连续漏极电流:11A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):APT56M50L
工作温度:-55℃~150℃
功率:780W
阈值电压:5V@2.5mA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8800pF@25V
连续漏极电流:56A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@28A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.6V@2mA
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC040SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:323W
阈值电压:2.7V@2mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:137nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1990pF@1000V
连续漏极电流:66A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@40A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):90psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC750SMA170B
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.25V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@20V
包装方式:管件
输入电容:184pF@1360V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:940mΩ@2.5A,20V
漏源电压:1700V
包装清单:商品主体 * 1
库存: