采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2T
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€17W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：1992000，"MI+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2Q1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZ200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17382F4T
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：347pF@15V
连续漏极电流：2.3A
类型：N沟道
导通电阻：64mΩ@500mA，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RQ5E025ATTCL
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：220pF@15V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：91mΩ@2.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMZB200UNEYL
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW€6.25W
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：89pF@15V
连续漏极电流：1.4A
类型：N沟道
导通电阻：250mΩ@1.4A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD17313Q2Q1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W
阈值电压：1.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：340pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@4A，8V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
